高能效泵浦再升级：凯普林新结构969nm激光系统赋能超快研究
高能效泵浦再升级：凯普林新结构969nm激光系统赋能超快研究
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发布时间：2025-07-25
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碟片激光器以其高效率、高光束质量、高功率、能量放大性、低热失真、优秀的散热效率、稳定性与可靠性而获得广泛应用。尤其在超快激光领域，碟片激光器作为关键组成部分，通过CPA（啁啾脉冲压缩放大）实现峰值功率太瓦(TW)级或更高输出，为飞秒或阿秒超快激光和物质的相互作用研究提供了有力工具。
半导体激光泵浦源是碟片激光器的核心器件，969nm半导体激光器凭借更小的量子亏损和更低产热，成为高功率/高峰值能量碟片激光器的首选泵源。
▲凯普林3000W 969nm光纤耦合半导体激光系统
近期，凯普林推出新结构的3000W 969nm光纤耦合半导体激光系统，通过高性能泵浦源设计及光纤合束，实现更高的能量冗余及系统稳定性，产品采用1000μm NA0.22光纤，输出平顶光能量分布，兼具轻量化与卓越光学性能，可广泛应用于碟片泵浦应用。目前，凯普林提供覆盖中高功率到超高功率的全系列969nm半导体光纤耦合激光器，功率范围包括600W、1000W、2000W、3000W、4000W及6000W，能满足不同碟片激光器的泵浦需求。
在设计上，凯普林通过多模块合束实现高功率输出方案。以3000W系统为例，其在5-30A电流范围内输出功率达300-3000W，中心波长为969nm，边模抑制比超过25dB；当功率达到3000W时，边模抑制比约为40dB，光谱半高全宽＜0.3nm。为实现光纤输出能量近平顶分布，凯普林采用特殊技术提高能量匀化度，实测超高斯阶＞4（如下图所示）。
▲3000W半导体激光系统功率
▲3000W 969nm半导体激光系统
为了更好适配不同客户的碟片泵浦场景，凯普林提供多种光纤规格选择，包括600μm、800μm、1000μm光纤芯径。此外，还提供QBH标准或定制接头服务，以满足特殊工艺需求。
目前，凯普林拥有全系列半导体激光器产品，波长覆盖380nm-1940nm，功率范围从2mW至6kW；激光泵浦源覆盖10W至1000W全功率段8XXnm、9XXnm系列。未来，凯普林计划推出更高功率半导体激光系统，以满足碟片激光器在超快激光放大输出更高脉冲能量的需求。
半导体激光泵浦源是碟片激光器的核心器件，969nm半导体激光器凭借更小的量子亏损和更低产热，成为高功率/高峰值能量碟片激光器的首选泵源。
▲凯普林3000W 969nm光纤耦合半导体激光系统
近期，凯普林推出新结构的3000W 969nm光纤耦合半导体激光系统，通过高性能泵浦源设计及光纤合束，实现更高的能量冗余及系统稳定性，产品采用1000μm NA0.22光纤，输出平顶光能量分布，兼具轻量化与卓越光学性能，可广泛应用于碟片泵浦应用。目前，凯普林提供覆盖中高功率到超高功率的全系列969nm半导体光纤耦合激光器，功率范围包括600W、1000W、2000W、3000W、4000W及6000W，能满足不同碟片激光器的泵浦需求。
在设计上，凯普林通过多模块合束实现高功率输出方案。以3000W系统为例，其在5-30A电流范围内输出功率达300-3000W，中心波长为969nm，边模抑制比超过25dB；当功率达到3000W时，边模抑制比约为40dB，光谱半高全宽＜0.3nm。为实现光纤输出能量近平顶分布，凯普林采用特殊技术提高能量匀化度，实测超高斯阶＞4（如下图所示）。
▲3000W半导体激光系统功率
▲3000W 969nm半导体激光系统
为了更好适配不同客户的碟片泵浦场景，凯普林提供多种光纤规格选择，包括600μm、800μm、1000μm光纤芯径。此外，还提供QBH标准或定制接头服务，以满足特殊工艺需求。
目前，凯普林拥有全系列半导体激光器产品，波长覆盖380nm-1940nm，功率范围从2mW至6kW；激光泵浦源覆盖10W至1000W全功率段8XXnm、9XXnm系列。未来，凯普林计划推出更高功率半导体激光系统，以满足碟片激光器在超快激光放大输出更高脉冲能量的需求。
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